三星宣布年内推32TB超大SSD:90层堆栈 V-NAND

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三星宣布年内推32TB超大SSD:90层堆栈 V-NAND

时间:2019-11-08本站浏览次数:22

       

IT之家7月25日消息 根据HKEPC的消息,三星在日本宣布已正式量产90堆叠层数的第5代V-NAND,单芯片容量达到 1TB,同时将会在今年内推出32TB容量的TLC NAND SSD。

据报道,三星容量 1TB的单芯片颗粒可达到1.2GB每秒读取速度,采用M.3 规格,相比M.2 SSD更宽,好处是可以并排放下两组NAND Flash,有助于提高储存容量。

IT之家之前曾报道,东芝的96层QLC闪存单张闪存芯片容量可以达到2.66TB。基于1.33Tb核心的QLC闪存,东芝开发出了16核心的单芯片闪存,一颗闪存的容量就有2.66TB,现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量,是之前的5倍多。

另外,根据统计机构的数据,在保持目前的普及增长率的同时,SSD的出货量将会在2020年超越HDD,在未来四年内,SSD的销售量将以每年平均20.7%的速度增长,对HDD硬盘的需求将每年减少7.3%。




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